Substrate temperature dependence of the initial growth mode of SiO2 on Si(100)-(2 x 1) exposed to O2: A photoemission study.
Substrate temperature dependence of the initial growth mode of SiO2 on Si(100)-(2 x 1) exposed to O2: A photoemission study.
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暴露于 O2 的 Si(100)-(2 x 1) 上 SiO2 初始生长模式的衬底温度依赖性：光电子研究。
DOI：
10.1103/physrevb.40.10356
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发表时间：
1989
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Bolmont
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Lutz;Bischoff;Kubler;Bolmont
一种高级的T - S基底压缩，一种特殊的脱附区，一种特殊的表面氧化初始化反应，一种特殊的并置区，一种特殊的sio2类型（连接Si-O - 4），一种特殊的简单的硅结构，一种特殊的重构描述物。在聚焦的过程中，不同的视角、不同的视角、不同的视角、不同的表达方式、不同的表达方式、不同的表达方式、不同的表达方式、不同的表达方式
A haute T S et basse pression, et dans la region gouvernee par la desorption, la surface du compose oxydee initialement est interpretee comme une juxtaposition des regions de type SiO 2 (liaisons Si-O 4 ) et en terrasses simples de silicium presentant encore la reconstruction de deiners. On focalise aussi sur les differences des vitesses de croissance selon que les changements d'exposition resultent des variations du temps ou de la pression