Comparison of Oxide TFT with C-doped and C-free In2O3 Channels by ALD
Comparison of Oxide TFT with C-doped and C-free In2O3 Channels by ALD
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通过 ALD 比较氧化物 TFT 与掺碳和无碳 In2O3 通道
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Atsushi Ogura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Riku Kobayashi;Toshihide Nabatame;Kazunori Kurishima;Takashi Onaya;Akihiko Ohi;Naoki Ikeda;Takahiro Nagata;Kazuhito Tsukagoshi;and Atsushi Ogura
