Area-selective assembly of high crystalline tin-doped–indium–oxide particles onto monolayer template
Area-selective assembly of high crystalline tin-doped–indium–oxide particles onto monolayer template
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高结晶锡掺杂氧化铟颗粒在单层模板上的区域选择性组装
DOI：
10.1116/1.1927537
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A. Hozumi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
N. Shirahata;Y. Sakka;T. Uchikoshi;A. Hozumi
通过静电相互作用，在水溶液中不经任何化学和物理刻蚀，在单层模板上成功地制备了结构清晰的掺锡氧化铟（ITO）微结构。在无水甲苯稀释的12.5vol% N-（6-氨基己基）-3-氨丙基三甲氧基硅烷[H2 N（CH 2）6 NH（CH 2）3Si（OCH 3）3，AHAPS]溶液中，在SiO2/Si衬底上形成了高度取向的氨基封端的自组装单分子膜（SAMs）.采用172 nm的真空紫外光照射，在10 Pa的真空条件下，通过光掩模光刻30 min，制备了AHAPS-SAM化学模板。所制造的化学模板组成的AHAPS和SiOH覆盖的区域，分别作为静电排斥和吸引力的领域，提供一个单层模板的ITO颗粒的区域选择性组装。通过静电相互作用，ITO颗粒优先组装在硅醇区域上，而在硅醇区域上的组装被阻止。
Well-defined microstructures of tin-doped–indium–oxide (ITO) were successfully fabricated on a monoalyer template through an electrostatic interaction in aqueous media without any chemical and physical etching processes. Highly oriented amino-terminated self-assembled monolayers (SAMs) were formed on the SiO2∕Si substrate in a vapor of 12.5vol% solution of N-(6-aminohexyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane [H2N(CH2)6NH(CH2)3Si(OCH3)3, AHAPS] diluted with absolute toluene. A chemical template of AHAPS–SAM was photolithographycally prepared using 172nm vacuum ultraviolet light under a reduced pressure of 10Pa for 30min through a photomask. The fabricated chemical template composed of AHAPS- and SiOH-covered regions served, respectively, as electrostatically repulsive and attractive areas to provide a monolayer template for the area-selective assembly of ITO particles. The ITO particles assembled preferentially onto the silanol regions through the electrostatic interaction, while their assembly was prevented on ...
有序分子的表面电势显微镜
DOI：
--
发表时间：
2002
期刊：
Appl.Surf.Sci. 188
影响因子：
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作者：
Hiroyuki Sugimura;Nagahiro Saito;Kazuyuki Hayashi;Noriya Maeda;Osamu Takai;H.Sugimura et al.;H.Sugimura et al.
通讯作者：
H.Sugimura et al.
将功能有机分子选择性固定到使用氨基封端的自组装单层制造的微模板上
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
Surf.Sci. 532-535
影响因子：
--
作者：
Hiroyuki Sugimura;Nagahiro Saito;Sun-Hyung Lee;Osamu Takai;H.Sugimura et al.;Y.Wu et al.;N.SAito et al.;L.Hong et al.;L.Hong et al.;L.Hong et al.;N.Saito et al.;N.Saito et al.;N.Nakairi et al.;K.Hayashi et al.
通讯作者：
K.Hayashi et al.