KINETIC PATHWAY IN STRANSKI-KRASTANOV GROWTH OF GE ON SI(001)
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DOI：
10.1142/s0217984990001732
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发表时间：
1990-08-20
影响因子：
8.6
通讯作者：
LAGALLY, MG
中科院分区：
文献类型：
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作者：
MO, YW;SAVAGE, DE;LAGALLY, MG
