Remote imprinting of moiré lattices
Remote imprinting of moiré lattices
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莫尔晶格的远程压印
DOI：
10.1038/s41563-023-01709-8
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发表时间：
2024
期刊：
影响因子：
41.2
通讯作者：
Mak, Kin Fai
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gu, Jie;Zhu, Jiacheng;Knuppel, Patrick;Watanabe, Kenji;Taniguchi, Takashi;Shan, Jie;Mak, Kin Fai
二维莫尔材料是通过叠加两个在取向或/和晶格常数上具有小差异的层状晶体形成的，其中它们的直接耦合产生莫尔势。莫尔材料已经成为发现新物理和器件概念的平台，但是尽管莫尔材料是高度可调的，但一旦形成，莫尔晶格就不能轻易改变。在这里，我们展示了静电压印莫尔晶格到目标单层半导体。莫尔电位--由远程MoSe 2/WS 2莫尔双层中的Mott绝缘体状态支持的电子晶格产生--压印莫尔电位，该莫尔电位在目标单层中产生平带和相关绝缘状态，并且可以通过栅极调谐莫尔双层的掺杂密度来打开/关闭。此外，我们研究了静电和结构弛豫之间的相互作用莫尔压印的贡献。我们的研究结果展示了一条通往莫尔晶格门控的途径。
Two-dimensional moiré materials are formed by overlaying two layered crystals with small differences in orientation or/and lattice constant, where their direct coupling generates moiré potentials. Moiré materials have emerged as a platform for the discovery of new physics and device concepts, but while moiré materials are highly tunable, once formed, moiré lattices cannot be easily altered. Here we demonstrate the electrostatic imprinting of moiré lattices onto a target monolayer semiconductor. The moiré potential—created by a lattice of electrons that is supported by a Mott insulator state in a remote MoSe2/WS2moiré bilayer—imprints a moiré potential that generates flat bands and correlated insulating states in the target monolayer and can be turned on/off by gate tuning the doping density of the moiré bilayer. Additionally, we studied the interplay between the electrostatic and structural relaxation contributions to moiré imprinting. Our results demonstrate a pathway towards gate control of moiré lattices.
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影响因子：
41.2
作者：
Y. Zeng;Zhengchao Xia;Roei Dery;Kenji Watanabe;T. Taniguchi;J. Shan;K. Mak
通讯作者：
Y. Zeng;Zhengchao Xia;Roei Dery;Kenji Watanabe;T. Taniguchi;J. Shan;K. Mak
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Wang, Feng
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Yang Xu;Kaifei Kang;Kenji Watanabe;T. Taniguchi;K. Mak;J. Shan
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Yang Xu;Kaifei Kang;Kenji Watanabe;T. Taniguchi;K. Mak;J. Shan
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作者：
Gu, Jie;Ma, Liguo;Mak, Kin Fai
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16.6
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通讯作者：
--