Selective area MOCVD growth of GaN nanowires with high controllability
Selective area MOCVD growth of GaN nanowires with high controllability
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高可控性选择性区域 MOCVD 生长 GaN 纳米线
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
崔碕鉱
中科院分区：
文献类型：
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作者：
崔埼鉉;加古敏;有田宗貴;荒川泰彦;崔〓鉉;崔〓鉉;崔〓鉉;崔碕鉱;崔碕鉱
