Greatly improved Si impurity tolerance of SOFC electrodes identified through in situ optical transmission relaxation (OTR)
Greatly improved Si impurity tolerance of SOFC electrodes identified through in situ optical transmission relaxation (OTR)
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通过原位光传输弛豫 (OTR) 确定 SOFC 电极的硅杂质耐受性大大提高
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Sean R. Bishop
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Liang Zhao;Nicola H. Perry;Takeshi Daio;Kazunari Sasaki;Sean R. Bishop
