F.HASEGAWA et al: "Vapor phase Epitaxy of GaAs by Direct Reduction of GaCl_3 with AsH_3/H_2" Japanese Journal of Applied Physics. 27. L1546-L1548 (1988)
F.HASEGAWA et al: "Vapor phase Epitaxy of GaAs by Direct Reduction of GaCl_3 with AsH_3/H_2" Japanese Journal of Applied Physics. 27. L1546-L1548 (1988)
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F.HASEGAWA 等人：“通过用 AsH_3/H_2 直接还原 GaCl_3 进行 GaAs 气相外延”，日本应用物理学杂志。
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