Comparison of gate sensitivity for spin interference effect between Al_2O_3 and SiO_2 gate insulators on InGaAs based mesoscopic ring arrays (Invited)
Comparison of gate sensitivity for spin interference effect between Al_2O_3 and SiO_2 gate insulators on InGaAs based mesoscopic ring arrays (Invited)
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InGaAs基介观环形阵列上Al_2O_3和SiO_2栅极绝缘体自旋干涉效应的栅极灵敏度比较（特邀）
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and J. Nitta
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Kohda;J. Takagi;and J. Nitta
