Suppression of Device Interference Effects in GaAs Nanodevices by Surface Passivation using Si Interface Control Layer
Suppression of Device Interference Effects in GaAs Nanodevices by Surface Passivation using Si Interface Control Layer
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使用 Si 界面控制层进行表面钝化抑制 GaAs 纳米器件中的器件干扰效应
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Hasegawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R.Jia;N.Shiozaki;S.Kasai;H.Hasegawa
