The influence of reconstruction on epitaxial growth: Ge on Si(100)-(2 × 1) and Si(111)-(7 × 7)
The influence of reconstruction on epitaxial growth: Ge on Si(100)-(2 × 1) and Si(111)-(7 × 7)
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重构对外延生长的影响：Ge对Si(100)-(2×1)和Si(111)-(7×7)
DOI：
10.1016/0039-6028(85)90007-x
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发表时间：
1985
期刊：
影响因子：
1.9
通讯作者：
W. Gibson
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Gossmann;L. Feldman;W. Gibson
影响因子：
8.6
作者：
G. Binnig;H. Rohrer;C. Gerber;E. Weibel
通讯作者：
G. Binnig;H. Rohrer;C. Gerber;E. Weibel