N.Usami et al.: "Modification of the growth mode of Ge on Si by buried Ge islands"Appl.Phys.Lett.. 76. 3723-3725 (2000)
N.Usami et al.: "Modification of the growth mode of Ge on Si by buried Ge islands"Appl.Phys.Lett.. 76. 3723-3725 (2000)
复制标题
N.Usami 等人：“通过埋藏的 Ge 岛改变 Si 上 Ge 的生长模式”Appl.Phys.Lett.. 76. 3723-3725 (2000)
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
