Stability Growth Condition for 3C-SiC Crystals by Solution Technique
Stability Growth Condition for 3C-SiC Crystals by Solution Technique
复制标题
溶液技术稳定生长3C-SiC晶体的条件
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Takeda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Ujiahra;R. Maekawa;R. Tanaka;K. Sasaki;K. Kuroda;Y. Takeda
