In situ phosphorus doping of Ge and Ge1-xSnx epitaxial layers by low-temperature metal-organic chemical vapor deposition
In situ phosphorus doping of Ge and Ge1-xSnx epitaxial layers by low-temperature metal-organic chemical vapor deposition
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低温金属有机化学气相沉积法原位磷掺杂Ge和Ge1-xSnx外延层
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
O. Nakatsuka and S. Zaima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Ike;W. Takeuchi;O. Nakatsuka and S. Zaima
