J.L.Lee,L.Wei,S.Tanigawa,H.Oigawa and Y.Nannichi: "The effect of surface oxides on the creation of point defects in GaAs studied by slow positron beam" Jpm.J.Appl.Phys.30. L138-L140 (1991)
J.L.Lee,L.Wei,S.Tanigawa,H.Oigawa and Y.Nannichi: "The effect of surface oxides on the creation of point defects in GaAs studied by slow positron beam" Jpm.J.Appl.Phys.30. L138-L140 (1991)
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J.L.Lee、L.Wei、S.Tanikawa、H.Oikawa 和 Y.Nannichi：“通过慢正电子束研究表面氧化物对 GaAs 中点缺陷产生的影响”Jpm.J.Appl.Phys.30。
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