Molecular beam epitaxy grown Ge/Si pin layer sequence for photonic devices
Molecular beam epitaxy grown Ge/Si pin layer sequence for photonic devices
复制标题
用于光子器件的分子束外延生长 Ge/Si pin 层序列
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Werner
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Schulze;M. Oehme;J. Werner
