圧力誘起超伝導体CePtSi2の単結晶育成と圧力下ゼーベック係数
圧力誘起超伝導体CePtSi2の単結晶育成と圧力下ゼーベック係数
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压力诱导超导体CePtSi2单晶生长及压力下塞贝克系数
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Vladimir Sechovsky
中科院分区：
文献类型：
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作者：
山田 和弘;佐藤 晴紀;松本絋祐;加瀬 直樹;中野 智仁;武田 直也;Klara Uhlirova;Vladimir Sechovsky
