K.G.Ravikumar: "Lowーdamage GaInAs(P)/InP nanometer structure by lowーpressure ECRーRIBE" Japan.J.Appl.Phys.29. L1744-L1746 (1990)
K.G.Ravikumar: "Lowーdamage GaInAs(P)/InP nanometer structure by lowーpressure ECRーRIBE" Japan.J.Appl.Phys.29. L1744-L1746 (1990)
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K.G.Ravikumar：“低压 ECR-RIBE 低损伤 GaInAs(P)/InP 纳米结构”Japan.J.Appl.Phys.29 (1990)。
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