A low-phase-noise K-band CMOS VCO
A low-phase-noise K-band CMOS VCO
复制标题
低相位噪声 K 波段 CMOS VCO
DOI：
10.1109/lmwc.2006.882386
复制
发表时间：
2006
影响因子：
3
通讯作者：
Liang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Hsieh;Liang
这封信中提出了一种用于低相位噪声压控振荡器 (VCO) 的新颖电路拓扑。通过采用具有电容反馈的 PMOS 交叉耦合对，可以实现卓越的电路性能，尤其是在较高频率下。基于所提出的架构，针对 K 波段应用演示了采用 0.18μm CMOS 工艺实现的原型 VCO。从测量结果来看，VCO 在 20GHz 时表现出 510MHz 的频率调谐范围。 1MHz 偏移时的输出功率和相位噪声分别为 -3dBm 和 -111dBc/Hz。所制作的电路在 1.8V 电源电压下消耗 32mW 的直流功率
A novel circuit topology for low-phase-noise voltage controlled oscillators (VCOs) is presented in this letter. By employing a PMOS cross-coupled pair with a capacitive feedback, superior circuit performance can be achieved especially at higher frequencies. Based on the proposed architecture, a prototype VCO implemented in a 0.18-mum CMOS process is demonstrated for K-band applications. From the measurement results, the VCO exhibits a 510-MHz frequency tuning range at 20GHz. The output power and the phase noise at 1-MHz offset are -3dBm and -111dBc/Hz, respectively. The fabricated circuit consumes a dc power of 32mW from a 1.8-V supply voltage