H.Ishiwara: "Epitaxial growth of strain-free Ge films on Si substrates by solid phase epitaxy at ultrahigh pressure" Appl.Phys.Lett.61. 1951-1953 (1992)
H.Ishiwara: "Epitaxial growth of strain-free Ge films on Si substrates by solid phase epitaxy at ultrahigh pressure" Appl.Phys.Lett.61. 1951-1953 (1992)
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H.Ishiwara：“通过超高压固相外延在硅衬底上外延生长无应变 Ge 薄膜”Appl.Phys.Lett.61。
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