Hideto Miyake et al.: "Effects of reactor pressure on epitaxial lateral overgrowth of GaN via low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy"Japanese Journal of Applied Physics. 38. L1000-L1002 (1999)
Hideto Miyake et al.: "Effects of reactor pressure on epitaxial lateral overgrowth of GaN via low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy"Japanese Journal of Applied Physics. 38. L1000-L1002 (1999)
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Hideto Miyake 等人：“通过低压金属有机气相外延，反应器压力对 GaN 外延横向过度生长的影响”日本应用物理学杂志。
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