A bias dependent HEMT noise model
A bias dependent HEMT noise model
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偏置相关的 HEMT 噪声模型
DOI：
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发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
G. Boeck
中科院分区：
文献类型：
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作者：
L. Klapproth;A. Schaefer;G. Boeck
我们提出了一个模型来描述HEMT的噪声性能依赖于所施加的栅极和漏极电压。该模型是基于两个不相关的噪声源在本征晶体管。与本征晶体管模型中的电阻相关的温度用于模拟器件的噪声行为。通过使用相关矩阵技术，以简单的方式从噪声参数测量中提取参数。
We present a model to describe the noise performance of HEMTs in dependence of the applied gate and drain voltages. The model is based on two uncorrelated noise sources at the intrinsic transistor. Temperatures related to resistors in the intrinsic transistor model are used to model the noise behavior of the device. By using the correlation matrix technique the parameters are extracted from noise parameter measurements in a straightforward manner.