Detection of oxidation-induced compressive stress in Si (100) substrate near the SiO2/Si interface with atomic-scale resolution
Detection of oxidation-induced compressive stress in Si (100) substrate near the SiO2/Si interface with atomic-scale resolution
复制标题
以原子级分辨率检测 SiO2/Si 界面附近 Si (100) 衬底中氧化引起的压应力
DOI：
--
复制
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Ohmi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Suwa;K. Nagata;H. Nohira;K. Nakajima;A. Teramoto;A. Ogura;K. Kimura;T. Muro;T. Kinoshita;S. Sugawa;T. Hattori;T. Ohmi
