Ultra-thin layered semiconductor : Si-rich transition metal silicide
Ultra-thin layered semiconductor : Si-rich transition metal silicide
复制标题
超薄层半导体：富硅过渡金属硅化物
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Kanayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Miyazaki;T.Kanayama
影响因子：
3.7
作者：
N. Uchida;T. Miyazaki;T. Kanayama
通讯作者：
N. Uchida;T. Miyazaki;T. Kanayama