Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes Utilizing Nanometer-Order Strained SiGe / Si (100) Heterostructures with High Ge Fraction
Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes Utilizing Nanometer-Order Strained SiGe / Si (100) Heterostructures with High Ge Fraction
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利用高 Ge 分数纳米级应变 SiGe/Si (100) 异质结构制造空穴谐振隧道二极管
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Sakuraba
中科院分区：
文献类型：
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作者：
寺本章伸;荒谷崇;樋口正顕;池永英司;平山昌樹;須川成利;服部健雄;大見忠弘;柿本浩一;M. Sakuraba
