六方晶窒化ホウ素上のVO2における抵抗跳躍の電極間距離依存性
六方晶窒化ホウ素上のVO2における抵抗跳躍の電極間距離依存性
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六方氮化硼上 VO2 电阻跳跃的极间距离依赖性
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
玄地真悟, 山本真人, 神吉輝夫, 渡邊賢司, 谷口尚, 田中秀和
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Dazhi Li;Makoto Nakajima;Masahiko Tani;Jinfeng Yang;Hideaki Kitahara;Masaki Hashida;Makoto Asakawa;Wenxin Liu;Yanyu Wei;Ziqiang Yang;玄地真悟, 山本真人, 神吉輝夫, 渡邊賢司, 谷口尚, 田中秀和
