S.Nishino, T.Miyanagi and Y.Nishio: "Epitaxial growth of SiC on alpha-SiC using Si2C16+C3H8+H2 system" Proceedings of ICSCIII-N97, Trans Tech Publications. 155-158 (1997)
S.Nishino, T.Miyanagi and Y.Nishio: "Epitaxial growth of SiC on alpha-SiC using Si2C16+C3H8+H2 system" Proceedings of ICSCIII-N97, Trans Tech Publications. 155-158 (1997)
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S.Nishino、T.Miyanagi 和 Y.Nishio：“使用 Si2C16 C3H8 H2 系统在 α-SiC 上外延生长 SiC”ICSCIII-N97 论文集，Trans Tech Publications。
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