New method to control defect reaction induced by electron-hole recombination for long-living widegap light-emitting devices
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控制长寿命宽禁带发光器件电子空穴复合引起的缺陷反应的新方法
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Tajima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Adachi;Y. Hashimoto;K. Kanzaki;S. Ohashi;Y. Morita;T. Abe;H. Kasada;K. Ando;M. Tajima
