Random electric field induced by interface roughness in GaN/AlGaN multiple quantum wells
Random electric field induced by interface roughness in GaN/AlGaN multiple quantum wells
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GaN/AlGaN 多量子阱中界面粗糙度引起的随机电场
DOI：
10.7567/1882-0786/ab548a
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发表时间：
2019
影响因子：
2.3
通讯作者：
and Hideki Hirayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Joosun Yun;Dong-Pyo Han;and Hideki Hirayama
