Reduction of In incorporation by Si-doping in MOVPE-grown InxGa1-xN (x~0.3)
Reduction of In incorporation by Si-doping in MOVPE-grown InxGa1-xN (x~0.3)
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MOVPE 生长的 InxGa1-xN (x~0.3) 中通过硅掺杂减少 In 的掺入
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Yamamoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Mihara;N. Shigekawa;A. Yamamoto
