Freestanding GaN slab fabricated on patterned silicon on an insulator substrate
Freestanding GaN slab fabricated on patterned silicon on an insulator substrate
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在绝缘体衬底上的图案化硅上制造的独立式 GaN 板
DOI：
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发表时间：
2010
影响因子：
2.3
通讯作者：
F. R. Hu and K. Hane
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. J. Wang;F. R. Hu and K. Hane
