Fabrication of Multiply-Stacked Structures of Si Quantum-Dots Embedded in Si02 by Combination of Low-Pressure CVD with Remote Plasma Treatments

Fabrication of Multiply-Stacked Structures of Si Quantum-Dots Embedded in Si02 by Combination of Low-Pressure CVD with Remote Plasma Treatments
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通过低压CVD与远程等离子体处理相结合制造嵌入SiO 2 中的Si量子点的多层堆叠结构

DOI：
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发表时间：
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期刊：
Ext. Abst. of the 3rd Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Dec. 6, 2004, Hiroshima) [P-35]
影响因子：
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通讯作者：
S.Miyazaki
S.Miyazaki
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
K.Makihara;H.Nakagawa;M.Ikeda;H.Murakami;S.Higashi;S.Miyazaki

文献摘要

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