Ferroelectric Thickness Dependent Domain Interactions in FEFETs for Memory and Logic: A Phase-field Model based Analysis
Ferroelectric Thickness Dependent Domain Interactions in FEFETs for Memory and Logic: A Phase-field Model based Analysis
复制标题
用于存储器和逻辑的 FEFET 中铁电厚度相关的域相互作用：基于相场模型的分析
DOI：
10.1109/iedm13553.2020.9372099
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Gupta, S. K.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Saha, A. K.;Si, M.;Ni, K.;Datta, S.;Ye, P. D.;Gupta, S. K.
