M. Sakuraba,: ""H-Termination on Ge (100) and Si (100) by Diluted HF Dipping and by Annealing in H_2"" 5th International Symposium on Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing,. (in press). (1997)
M. Sakuraba,: ""H-Termination on Ge (100) and Si (100) by Diluted HF Dipping and by Annealing in H_2"" 5th International Symposium on Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing,. (in press). (1997)
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M. Sakuraba，：“通过稀释的 HF 浸渍和 H_2 退火对 Ge (100) 和 Si (100) 进行 H 终止”，第五届半导体器件制造清洁技术国际研讨会。
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