Comprehensive Study of Low Temperature (<1000℃) Oxidation Process in SiGe/SOI Structures
Comprehensive Study of Low Temperature (<1000℃) Oxidation Process in SiGe/SOI Structures
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SiGe/SOI结构低温（<1000℃）氧化过程的综合研究
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Tanaka;et al.
