Influence of the Sb dopant distribution on far infrared photoconductivity in Ge:Sb blocked impurity band detectors
Influence of the Sb dopant distribution on far infrared photoconductivity in Ge:Sb blocked impurity band detectors
复制标题
Ge:Sb阻挡杂质带探测器中Sb掺杂分布对远红外光电导的影响
DOI：
10.1016/s1350-4495(02)00178-0
复制
发表时间：
2002
影响因子：
3.3
通讯作者：
N. Haegel
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. Bandaru;J. Beeman;E. Haller;S. Samperi;N. Haegel
