Growth Process for High Performance of InGaAs MOSFETs
Growth Process for High Performance of InGaAs MOSFETs
复制标题
高性能 InGaAs MOSFET 的生长工艺
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Tezuka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Miyamoto;T. Kanazawa;Y. Yonai;K. Ohsawa;Y. Mishima;T. Irisawa;M. Oda;and T. Tezuka
