Uniaxial strain effects on the optoelectronic properties of GaN nanowires
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DOI：
10.1016/j.spmi.2016.06.040
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发表时间：
2016-09
影响因子：
3.1
通讯作者：
Sihao Xia;Lei Liu;Yike Kong;Meishan Wang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Sihao Xia;Lei Liu;Yike Kong;Meishan Wang
