ウェット酸化条件の制御による4H-SiC C面上MOS界面特性への影響
ウェット酸化条件の制御による4H-SiC C面上MOS界面特性への影響
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控制湿式氧化条件对4H-SiC C面MOS界面特性的影响
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
梶房裕之，喜多浩之
中科院分区：
文献类型：
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作者：
土器屋翔平;水野英之;香月浩之;山下兼一;佐々木史雄;柳久雄;梶房裕之，喜多浩之
