Control of Surface Roughness on Ge by Wet Chemical Treatments and Its Effects on Electron Mobility in n-FETs
Control of Surface Roughness on Ge by Wet Chemical Treatments and Its Effects on Electron Mobility in n-FETs
复制标题
湿化学处理控制 Ge 表面粗糙度及其对 n-FET 电子迁移率的影响
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A.Toriumi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C.H.Lee;T.Nishimura;T.Tabata;M.Yoshida;K.Nagashio;K.Kita;A.Toriumi
