Very High Reliability of Ultrathin Silicon Nitride Gate Dielectric Film for Sub-100nm Generation
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用于 100 纳米以下世代的超薄氮化硅栅极介电薄膜具有极高的可靠性
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Ohmi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Komura;M.Higuchi;W.Cheng;I.Ohshima;A.Teramoto;M.Hirayama;S.Sugawa;T.Ohmi
