Reduction of interface state density in the SiC MOS structures by a non-oxidation process
Reduction of interface state density in the SiC MOS structures by a non-oxidation process
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通过非氧化工艺降低 SiC MOS 结构中的界面态密度
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Y. Matsushita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kimoto;K. Tachiki;T. Kobayashi;and Y. Matsushita
