S.Ohtsuka, A.Hasegawa, M.Satou, K.Abe: "Study on surface swelling of SiC by high-dose He-ion implantation"International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings "Ion Implantation Technology-98". (印刷中). 779-782
S.Ohtsuka, A.Hasegawa, M.Satou, K.Abe: "Study on surface swelling of SiC by high-dose He-ion implantation"International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings "Ion Implantation Technology-98". (印刷中). 779-782
复制标题
S.Ohtsuka、A.Hasekawa、M.Satou、K.Abe：“高剂量氦离子注入对 SiC 表面膨胀的研究”国际离子注入技术会议论文集“离子注入技术-98”（出版中）。 ）779-782
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
