CaInAsP Wire Waveguides on Si Substrate Formed by Wafer Bonding with Benzocyclobutene
CaInAsP Wire Waveguides on Si Substrate Formed by Wafer Bonding with Benzocyclobutene
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通过苯并环丁烯晶圆键合在硅衬底上形成 CaInAsP 线波导
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Maeda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Arisawa;T. Ichikawa;M. Yamaguchi;藤原徹;中村英;J.Yang;Y.Maeda
InP/苯并环丁烯光学纳米线
影响因子：
1.1
作者：
M. Carette;J. Vilcot;D. Bernard;D. Decoster
通讯作者：
D. Decoster
单芯片 40 通道 InP 发射器光子集成电路，聚合数据速率可达 1.6 Tbit/s
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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作者：
R. Nagarajan;M. Kato;J. Pleumeekers;P. Evans;D. Lambert;A. Chen;V. Dominic;A. Mathur;P. Chavarkar;M. Missey;A. Dentai;S. Hurtt;J. Back;R. Muthiah;S. Murthy;R. Salvatore;S. Grubb;C. Joyner;J. Rossi;R. Schneider;M. Ziari;F. Kish;D. Welch
通讯作者：
D. Welch
多异质结构集成双导AlGaAs激光器
DOI：
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发表时间：
1975
期刊：
影响因子：
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作者：
Y. Suematsu;M. Yamada;K. Hayashi
通讯作者：
K. Hayashi