Effect of N2/H2 plasma on GaN substrate cleaning for homoepitaxial GaN growth by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD)
Effect of N2/H2 plasma on GaN substrate cleaning for homoepitaxial GaN growth by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD)
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N2/H2 等离子体对自由基增强金属有机化学气相沉积 (REMOCVD) 同质外延 GaN 生长的 GaN 衬底清洗的影响
DOI：
10.1063/1.5050819
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
Hori Masaru
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Amalraj Frank Wilson;Dhasiyan Arun Kumar;Lu Yi;Shimizu Naohiro;Oda Osamu;Ishikawa Kenji;Kondo Hiroki;Sekine Makoto;Ikarashi Nobuyuki;Hori Masaru
