Self-Assembled Monolayer-based Gate Dielectrics for MoS2 FET
Self-Assembled Monolayer-based Gate Dielectrics for MoS2 FET
复制标题
用于 MoS2 FET 的自组装单层栅极电介质
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Shunri Oda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takamasa Kawanago;and Shunri Oda
