Enhancement of Spin-Orbit Interaction by Bandgap Engineering in InAs-Based Heterostructures

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通过带隙工程增强 InAs 基异质结构中的自旋轨道相互作用

DOI:
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发表时间:
2008
期刊:
J.Electronic Materials 37
影响因子:
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通讯作者:
Takashi Matsuda and Kanji Yoh
Takashi Matsuda and Kanji Yoh
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
江尻剛士;J.バベシュバブ;陽完治;Takashi Matsuda and Kanji Yoh

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