Si Selective Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric-Pressure Plasma CVD
Si Selective Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric-Pressure Plasma CVD
复制标题
常压等离子体 CVD 低温选择性外延生长
DOI：
--
复制
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K. Yasutake
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Kirihata;T. Ohnishi;H. Ohmi;H. Kakiuchi;K. Yasutake
