Picosecond time-resolved study of luminescence of Cd1-xMnxTe
Picosecond time-resolved study of luminescence of Cd1-xMnxTe
复制标题
Cd1-xMnxTe 发光的皮秒时间分辨研究
DOI：
10.1016/0022-2313(88)90101-9
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发表时间：
1988
影响因子：
3.6
通讯作者：
A. Ramdas
中科院分区：
文献类型：
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作者：
W. Hayes;K. Wong;J. F. Ryan;A. Ramdas
在低至 1.8K 的温度和高达 8T 的磁场中，对稀磁半导体 Cd1-xMnxTe（x = 0.09、0.2 和 0.3）进行了皮秒时间分辨光致发光研究。讨论了激子的晶格无序诱导和磁诱导局域化的动力学。
Picosecond time-resolved photoluminescence studies have been made at temperatures down to 1.8K and in magnetic fields of up to 8T of the dilute magnetic semiconductor Cd1-xMnxTe for x = 0.09, 0.2 and 0.3. The dynamics of lattice-disorder-induced and magnetically-induced localisation of excitons are discussed.