InN および In-rich InGaN をベースとした窒化物半導体による長波長発光デバイス開発への挑戦
InN および In-rich InGaN をベースとした窒化物半導体による長波長発光デバイス開発への挑戦
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使用基于InN和富InGaN的氮化物半导体开发长波长发光器件的挑战
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
荒木努
中科院分区：
文献类型：
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作者：
名西やすし;山口智広;荒木努
